Gravure
1) Ale nan BSG
Wafers Silisyòm yo lave nan yon machin netwayaj chèn pa k ap flote sou dlo (ak dèyè a an kontak ak solisyon asid) yo retire BSG nan dèyè a. Eleman prensipal solisyon asid la se 24.5% HF, e ekwasyon reyaksyon chimik prensipal la gen ladan:
HF+SiO2→SiF4+H2O
SiF4+HF→H2SiF6
Apre lave ak dlo epi siye ak yon kouto van, li antre nan pwochen pwosesis la. Ekipman machin netwayaj BSG la se yon aparèy semi sele ki gen ladann yon tank asid, yon tank netwayaj dlo pi, ak yon sistèm bouyon pwovoke pou kreye yon anviwonman mikwo presyon negatif andedan ekipman an epi kolekte gaz temèt.
Polisyon prensipal la nan pwosesis sa a gen ladan gaz fatra asid (G4) ki gen HF, ki kolekte nan tiyo epi voye nan gwo kay won an gaz fatra asid pou tretman. Segondè konsantrasyon dlo ize asid ki gen asid fluoridrik (W10) ak dlo ize netwayaj asid jeneral (W11).
2) grave dèyè
Pou amelyore reflektivite nan silisyòm wafer dèyè a, se dèyè a nan wafer Silisyòm poli ak ajan alkali ak polisaj.
Seksyon polisaj alkali (6 liy) gen ladan modil tankou netwayaj pre, lave dlo, polisaj alkali * 2, netwayaj oksijene idwojèn (rezève), mikwo velours (rezève), netwayaj dlo pi, netwayaj pòs, netwayaj dlo pi, lave asid * 2, dlo pi lave apre lave asid, ralanti rale pre dezidratasyon, siye * 5, elatriye pwosesis la tout antye nan grave tounen otomatikman te pote soti, lè l sèvi avèk yon bra transfè nan voye wafers yo Silisyòm pre netwaye nan zòn nan manje nan machin nan polisaj alkali. Wafers yo Silisyòm pase nan divès kalite korozyon ak netwaye tank nan machin nan otomatik fèmen alkali polisaj nan woulèt. Ekipman an otomatikman kontwole renouvèlman asid, solisyon alkali, ak dlo pi nan chak modil. Solisyon asid ak alkali nan tank la ponpe nan tiyo, epi dlo ize a nan tank la egzeyate regilyèman.
3) Pre netwayaj
Apre pwosesis, wafer Silisyòm lan antre nan tank netwayaj la pou retire rezidyèl matyè òganik epi asire pwòpte sifas wafer Silisyòm lan, kidonk amelyore efikasite konvèsyon batri a nan yon sèten limit. Plonje wafer Silisyòm chaje yo nan netwayaj anvan, ajoute dlo pi nan tank la, epi ajoute yon kantite apwopriye NaOH solisyon oswa solisyon netwayaj (konsantrasyon NaOH espere yo dwe {{0}}.39%, konsantrasyon H2O2 se espere yo dwe 0.61%) dapre rapò a pou netwayaj wo-tanperati (60 degre). Fè netwayaj dlo pi apre netwayaj anvan. Netwayaj dlo pi se tout netwayaj imèsyon debòde, te pote soti nan tanperati chanm pou 100 segonn.
4) Alkali polisaj ak lave
Tank polisaj alkalin an ekipe ak dlo pi, epi yo ajoute yon kantite apwopriye NaOH solisyon ak aditif polisaj (solisyon NaOH se apeprè 1.6%, konsantrasyon ajan polisaj se 0.97%). Lè sa a, sifas dèyè wafer Silisyòm lan poli nan yon tanperati opere nan 65 degre. Lave ak alkali anvan rense ak dlo pi. Reyaksyon chimik ki fèt pandan pwosesis alkali voye yo se jan sa a:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
Tanperati a ap travay nan tank lave alkali a se 65 degre, epi tan an lave alkali kontwole yo dwe 220s.
5) Post netwayaj ak pwodiksyon mikwo velours
Ajoute dlo pi nan tank la, epi ajoute kantite ki apwopriye nan solisyon NaOH ak oksijene idwojèn (solisyon NaOH sou {{0}}.55%, konsantrasyon oksijene idwojèn 0.25%) dapre rapò a pou netwaye tanperati chanm. Apre w fin netwaye, fè netwayaj dlo pi.
Reyaksyon chimik ki fèt pandan pwosesis mikwo velours la se jan sa a:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
6) lave asid
Apre netwayaj apre, yo ta dwe itilize yon solisyon asid dilye ({{0}}.9% HCl ak 0.23% HF) pou netwaye pite segondè. Fonksyon HCl se netralize rezidyèl NaOH, pandan y ap fonksyon HF se retire kouch oksid la sou sifas wafer Silisyòm lan, fè li pi idrofob ak fòme konplèks Silisyòm H2SiF6. Atravè konplexasyon an ak iyon metal, iyon metal yo detache soti nan sifas la nan wafer nan Silisyòm, diminye kontni an metal metal ak prepare pou lyezon difizyon. Netwaye ak dlo pi apre lave asid.
Reyaksyon chimik ki fèt pandan pwosesis marinated la se jan sa a:
HCl+NaOH=NaCl+H2O
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
Tanperati k ap travay nan tank la marinated se nan tanperati chanm, epi tan an marinated kontwole nan 100 segonn.
7) Siye
Transfere dousman rale pre dezidrate cristalline Silisyòm waf la nan yon tank siye, epi soufle lè cho a 90 degre leve, li desann sou wafer la pou siye, lè l sèvi avèk chofaj elektrik.
Nan pwosesis la grave dèyè mansyone pi wo a, pre netwayaj, polisaj alkalin, ak pwosesis netwayaj apre yo jenere gwo konsantrasyon dlo ize alkalin ki gen idroksid sodyòm (W12, W14, W16) ak dlo ize netwayaj jeneral alkalin (W13, W15, W17). Pwosesis lave asid la jenere gwo konsantrasyon dlo ize asid ki gen asid idroklorik ak asid fluoridrik (W18) ak dlo ize netwayaj asid jeneral (W19, W20). Se operasyon ki pi wo a te pote soti nan yon machin fèmen alkali voye. Pwosesis lave asid la pral volatilize ak pwodui gaz fatra asid (G5) ki gen HCl ak HF, ki pral kolekte nan tiyo epi voye nan gwo kay won an lave gaz fatra asid pou tretman an.
Dopaj nan plas POPAID depo
Pwosesis POPAID la se yon teknik kle pou prepare kouch plak pa entegre kouch oksid tinèl ak kouch Silisyòm kristalin dope.
Premyèman, wafer Silisyòm lan antre nan chanm chaje a anba kondisyon atmosferik, yo transpòte nan chanm nan prechofaj 300 degre, ak Lè sa a, antre nan chanm nan pwosesis PO. Nan moman sa a, O2 transpòte nan blòk separasyon gaz la nan trachea a, epi li se aktive pa ekipman pou pouvwa RF a ionize. Iyon yo oksidasyon sou sifas wafer Silisyòm lan, fòme yon kouch oksid tinèl; Lè sa a, wafer Silisyòm lan pase nan yon tranzisyon ak chanm tanpon epi li transfere nan chanm lan peye. Sous la peye depo yon sèten epesè nan Silisyòm amorphe sou do a nan substra a, ak gaz PH3 prezante pandan pwosesis la depo. Fosfin gaz antre nan machin nan epi li eksite nan yon eta iyon fosfò pa 10kev ak 0.5-2kev frekans radyo wo-vòltaj. Yo ajoute yon vòltaj segondè aktyèl dirèk ant sous iyon an ak tè, pou iyon fosfò yo jwenn enèji atravè jaden elektrik wo-vòltaj la. Lajè gwo bout bwa a se 420mm, ak Lè sa a, wafer Silisyòm lan transfere nan pati anba a nan gwo bout bwa a. Pandan pwosesis la nan atòm yo nan sous la peye vole nan direksyon pou substra a, yo pote iyon P oswa reyaji ak iyon P pou reyalize dopaj fosfò in-situ.
Ekwasyon reyaksyon prensipal la se: PO+PAID＝POPAID
Oksidasyon Plasma (PO): SiH4+O2 → SiO2
Plasma ede dopaj in-situ (PEYE): Si (sous) + PH3 → n-Si
Apre reyaksyon an fini, azòt soufle epi iyon an enjekte nan adsorban endepandan an, ak yon efikasite tretman ki rive jiska 100%. Konsantrasyon fosfin anvan ou antre nan gwo kay won adsorption se 179.05ppm, epi pa gen okenn PH3 detekte apre adsorption. Pwojè sa a planifye pou konekte gaz echapman sa a ak gwo kay won gaz fatra DA003 pou tretman an epi dechaje li. An menm tan an, antrepriz la planifye enstale yon alam otomatik pou flit fosfò ak yon limit deteksyon nan 0.1mg/m3.
Analiz de Pwosesis Pwodiksyon Polisyon: Pwosesis polisyon prensipal yo nan pwosesis sa a se Ar, PH3, ak N2 prezante pandan pwosesis la, ki kolekte pa tiyo dedye epi voye nan gwo kay won an gaz fatra asid pou tretman.